金實(shí)力簡述給硅片研磨拋光，自動化和計算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片(集成電路)這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價已降到十分低廉的程度。一臺微型電子計算機(jī)的售價，也只不過數(shù)百元人民幣。這樣就為電子計算機(jī)進(jìn)入千家萬戶鋪平了道路。使我們的生活越來越現(xiàn)代化。

　　硅片研磨拋光，目前硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個因素，因為它關(guān)系到每個硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。無論硅片的厚薄，晶體硅光伏電池制造商都對硅片的質(zhì)量提出了極高的要求。硅片不能有表面損傷(細(xì)微裂紋、線鋸印記)，形貌缺陷(彎曲、凹凸、厚薄不均)要最小化，對額外后端處理如拋光等的要求也要降到最低。

　　一般來說，硅片需要經(jīng)過兩次拋光，表面才能達(dá)到集成電路工藝的要求。

　　第一次硅片研磨拋光目的是去除硅片表面殘留的機(jī)械損傷，一般要求從表面除去 30um 厚度。

　　第二次硅片研磨拋光目的是去除第一次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和云霧狀缺陷，要求從表面除去2～3um。太陽能電池一般用第一次拋光即可。

　　一般采用堿性二氧化硅膠體化學(xué)機(jī)械拋光工藝，依次對硅片進(jìn)行粗拋和精拋加工。為確保拋光片的加工精度。拋光加工時應(yīng)注意如下幾方面的主要一些問題：

　　(1)拋光前對硅片進(jìn)行腐蝕后按厚度分檔上機(jī)拋光。拋光前的工藝過程中須留有足夠的可加工余量，以徹底去除硅片表面的機(jī)械損傷。

　　(2)選用合適的硅片貼片工藝包括：有蠟貼片或無蠟貼片。有蠟貼片與無蠟貼片相比較，前一種方法容易獲得高精度的TTV，TIR;經(jīng)無蠟貼片拋光的硅片TTV，TIR 等參數(shù)雖然可能比有蠟貼片較差，但是無蠟拋光避免了有蠟拋光所需要的貼片及去蠟的復(fù)雜工藝以及蠟和其它有機(jī)物的沾污，可以簡化拋光片的后續(xù)清洗工藝。只要正確控制拋光工藝，無蠟拋光也能拋出高質(zhì)量的硅片。